Küresel enerji sıkıntısı ve çevre kirliliği nedeniyle LED ekranlar, enerji tasarrufu ve çevre koruma özellikleri nedeniyle geniş bir uygulama alanına sahiptir.Aydınlatma alanında uygulamaLED ışıklı ürünlerdünyanın dikkatini çekiyor.Genel olarak konuşursak, LED lambaların stabilitesi ve kalitesi, lamba gövdesinin ısı dağıtımıyla ilgilidir.Şu anda piyasadaki yüksek parlaklıktaki LED lambaların ısı dağıtımında genellikle doğal ısı dağıtımı benimseniyor ve etkisi ideal değil.Led lambalarLED ışık kaynağı tarafından yapılan LED, ısı dağıtma yapısı, sürücü ve lensten oluşur.Bu nedenle ısı dağılımı da önemli bir kısımdır.LED iyi ısınamazsa servis ömrü de etkilenecektir.

Isı yönetimi uygulamada temel sorundur.yüksek parlaklıkta LED

Grup III nitrürlerin p-tipi katkısı, Mg alıcılarının çözünürlüğü ve deliklerin yüksek başlangıç ​​enerjisi ile sınırlı olduğundan, p-tipi bölgede ısının üretilmesi özellikle kolaydır ve bu ısının soğutucu üzerinde dağıtılması gerekir. tüm yapı boyunca;LED cihazların ısı dağıtma yolları esas olarak ısı iletimi ve ısı taşınımıdır;Safir alt tabaka malzemesinin son derece düşük termal iletkenliği, cihazın termal direncinin artmasına neden olur ve bu da cihazın performansı ve güvenilirliği üzerinde yıkıcı bir etkiye sahip olan ciddi bir kendi kendine ısınma etkisine neden olur.

Isının yüksek parlaklıktaki LED üzerindeki etkisi

Isı küçük çipte yoğunlaşır ve çip sıcaklığı artar, bu da termal stresin eşit olmayan bir şekilde dağılmasına ve çipin ışık verimliliği ve fosfor lazer verimliliğinde azalmaya neden olur;Sıcaklık belirli bir değeri aştığında cihazın arıza oranı katlanarak artar.İstatistiksel veriler, bileşen sıcaklığındaki her 2°C artışta güvenilirliğin %10 azaldığını göstermektedir.Birden fazla LED, beyaz bir aydınlatma sistemi oluşturacak şekilde yoğun bir şekilde düzenlendiğinde, ısı dağılımı sorunu daha ciddi hale gelir.Isı yönetimi sorununu çözmek, yüksek parlaklıktaki LED'in uygulanması için bir ön koşul haline geldi.

Talaş boyutu ile ısı dağılımı arasındaki ilişki

Güç LED ekranının parlaklığını iyileştirmenin en doğrudan yolu giriş gücünü arttırmaktır ve aktif katmanın doygunluğunu önlemek için pn bağlantı noktasının boyutu buna göre arttırılmalıdır;Giriş gücünün arttırılması kaçınılmaz olarak bağlantı sıcaklığını artıracak ve kuantum verimliliğini azaltacaktır.Tek transistör gücünün iyileştirilmesi, cihazın pn bağlantısından ısıyı dışarı aktarma yeteneğine bağlıdır.Mevcut çip malzemesinin, yapısının, paketleme işleminin, çip üzerindeki akım yoğunluğunun ve eşdeğer ısı dağılımının korunması koşulları altında, tek başına çip boyutunun arttırılması bağlantı sıcaklığını artıracaktır.