Nedirled çip?Peki özellikleri neler?LED çip üretimi esas olarak etkili ve güvenilir düşük omik kontak elektrotları üretmek, temas edilebilir malzemeler arasındaki nispeten küçük voltaj düşüşünü karşılamak, kaynak telleri için basınç yastıkları sağlamak ve mümkün olduğu kadar ışık yaymak içindir.Film geçiş prosesinde genellikle vakumlu buharlaştırma yöntemi kullanılır.4pa yüksek vakum altında, malzeme dirençli ısıtma veya elektron ışın bombardımanı ısıtma yöntemiyle eritilir ve bZX79C18, metal buharı haline gelir ve düşük basınç altında yarı iletken malzemenin yüzeyinde biriktirilir.

Genel olarak kullanılan p-tipi kontak metali Aube, auzn ve diğer alaşımları içerir ve n-tarafı kontak metali çoğunlukla AuGeNi alaşımını kullanır.Elektrotun temas katmanı ve açıkta kalan alaşım katmanı, litografi işleminin gereksinimlerini etkili bir şekilde karşılayabilir.Fotolitografi işleminden sonra genellikle H2 veya N2 koruması altında gerçekleştirilen alaşımlama işlemine de geçilir.Alaşımlama süresi ve sıcaklığı genellikle yarı iletken malzemelerin özelliklerine ve alaşım fırınının formuna göre belirlenir.Elbette mavi ve yeşil gibi çip elektrot prosesi daha karmaşıksa pasif film büyütme ve plazma aşındırma prosesinin de eklenmesi gerekir.

LED çipinin üretim sürecinde hangi prosesin fotoelektrik performansı üzerinde önemli bir etkisi vardır?

Genel olarak, tamamlandıktan sonraLED epitaksiyel üretim, ana elektriksel özellikleri kesinleşmiştir ve çip üretimi nükleer doğasını değiştirmeyecektir, ancak kaplama ve alaşımlama sürecindeki uygunsuz koşullar bazı olumsuz elektriksel parametrelere neden olacaktır.Örneğin, düşük veya yüksek alaşımlama sıcaklığı, zayıf omik temasa neden olacaktır; bu da çip üretiminde yüksek ileri voltaj düşüşünün (VF) ana nedenidir.Kesimden sonra talaşın kenarında bir takım korozyon işlemleri yapılırsa talaşın ters sızıntısının iyileştirilmesi faydalı olacaktır.Bunun nedeni, elmas taşlama diski bıçağıyla kesim sonrasında talaşın kenarında daha fazla döküntü ve tozun kalmasıdır.Bunlar LED çipinin PN bağlantı noktasına yapışırsa elektrik kaçağına ve hatta arızaya neden olurlar.Ayrıca talaş yüzeyindeki fotorezist temiz bir şekilde sıyrılmazsa ön kaynakta zorluklara ve hatalı kaynak yapılmasına neden olacaktır.Arkada olması da yüksek basınç düşüşüne neden olur.Talaş üretimi sürecinde yüzeyin kabalaştırılması ve ters trapez yapıya bölünmesiyle ışık yoğunluğu artırılabilir.

LED çipleri neden farklı boyutlara bölünmelidir?Boyutun LED'in fotoelektrik performansı üzerindeki etkileri nelerdir?

LED çip boyutu, güce göre düşük güçlü çip, orta güçlü çip ve yüksek güçlü çip olarak ayrılabilir.Müşteri ihtiyaçlarına göre tek tüp seviyesi, dijital seviye, nokta vuruşlu seviye ve dekoratif aydınlatmaya bölünebilir.Çipin spesifik boyutu ise farklı çip üreticilerinin fiili üretim seviyelerine göre belirlenir ve özel bir gereklilik yoktur.Süreç devam ettiği sürece çip, birim çıktıyı iyileştirip maliyeti düşürebilir ve fotoelektrik performansı temel olarak değişmeyecektir.Çipin kullanım akımı aslında çipin içinden akan akım yoğunluğuyla ilgilidir.Çip küçük olduğunda kullanım akımı küçüktür ve çip büyük olduğunda kullanım akımı büyüktür.Birim akım yoğunlukları temelde aynıdır.Yüksek akımda asıl problemin ısı yayılımı olduğu düşünülürse ışık verimliliği düşük akıma göre daha düşüktür.Öte yandan alan arttıkça çipin gövde direnci azalacağından ileri gerilim de azalacaktır.

LED yüksek güçlü çipin alanı nedir?Neden?

Led yüksek güçlü çiplerBeyaz ışık için piyasada genellikle yaklaşık 40mil civarındadır.Yüksek güçlü çiplerin sözde kullanım gücü, genellikle 1W'ın üzerindeki elektrik gücünü ifade eder.Kuantum verimliliği genellikle %20'den az olduğundan, elektrik enerjisinin çoğu ısı enerjisine dönüştürülecektir, bu nedenle yüksek güçlü çipin ısı dağılımı çok önemlidir ve çipin geniş bir alana sahip olması gerekir.

GaN epitaksiyel malzemelerin üretimi için çip teknolojisi ve işleme ekipmanının boşluk, GaAs ve InGaAlP ile karşılaştırıldığında farklı gereksinimleri nelerdir?Neden?

Sıradan LED kırmızı ve sarı çiplerin ve parlak Dörtlü kırmızı ve sarı çiplerin substratları, genellikle n-tipi substratlara dönüştürülebilen boşluk ve GaAs gibi bileşik yarı iletken malzemelerden yapılır.Litografi için ıslak işlem kullanılır ve daha sonra talaşı kesmek için elmas taşlama bıçağı kullanılır.GaN malzemesinin mavi-yeşil çipi bir safir substrattır.Safir alt tabaka yalıtılmış olduğundan LED'in tek kutbu olarak kullanılamaz.Kuru aşındırma işlemi ve bazı pasivasyon işlemleri ile aynı anda epitaksiyel yüzey üzerinde p/N elektrotlarının yapılması gerekmektedir.Safir çok sert olduğundan elmas taşlama diski bıçağıyla talaş çekmek zordur.Teknolojik süreci genellikle boşluk ve GaAs malzemelerden yapılmış LED'e göre daha fazla ve karmaşıktır.

“Şeffaf elektrot” çipinin yapısı ve özellikleri nedir?

Şeffaf elektrot olarak adlandırılan elektrot iletken ve şeffaf olmalıdır.Bu malzeme artık sıvı kristal üretim sürecinde yaygın olarak kullanılmaktadır.Adı, ITO olarak kısaltılan indiyum kalay oksittir ancak lehim pedi olarak kullanılamaz.İmalat sırasında çipin yüzeyine ohmik elektrot yapılacak, ardından yüzeye bir ITO tabakası kaplanacak ve daha sonra ITO yüzeyine bir kat kaynak pedi kaplanacaktır.Bu şekilde, kurşundan gelen akım, ITO katmanı aracılığıyla her omik kontak elektroduna eşit olarak dağıtılır.Aynı zamanda ITO'nun kırılma indeksi havanın kırılma indeksi ile epitaksiyel malzemenin kırılma indeksi arasında olduğundan ışık açısı iyileştirilebilir ve ışık akısı arttırılabilir.

Yarı iletken aydınlatma için çip teknolojisinin ana akımı nedir?

Yarı iletken LED teknolojisinin gelişmesiyle birlikte aydınlatma alanındaki uygulaması giderek artmış, özellikle beyaz LED'in ortaya çıkışı yarı iletken aydınlatmanın sıcak noktası haline gelmiştir.Ancak anahtar çip ve paketleme teknolojisinin geliştirilmesi gerekiyor.Çip konusunda ise yüksek güç, yüksek ışık verimliliği ve ısıl direncin azaltılması yönünde gelişmemiz gerekiyor.Gücün arttırılması, çipin kullanım akımının artması anlamına gelir.Daha doğrudan yol çip boyutunu arttırmaktır.Artık yaygın olarak kullanılan yüksek güçlü yongalar 1 mm × 1 mm civarındadır ve çalışma akımı 350 mA'dır. Kullanım akımının artması nedeniyle ısı dağılımı sorunu öne çıkan bir sorun haline gelmiştir.Artık bu sorun temelde çip çevirme yöntemiyle çözülüyor.LED teknolojisinin gelişmesiyle birlikte aydınlatma alanındaki uygulamaları benzeri görülmemiş bir fırsat ve zorlukla karşı karşıya kalacak.

Flip çip nedir?Yapısı nedir?Avantajları nelerdir?

Mavi LED genellikle Al2O3 substratını kullanır.Al2O3 substratı yüksek sertliğe ve düşük ısı iletkenliğine sahiptir.Biçimsel yapıyı benimserse bir yandan antistatik sorunları da beraberinde getirecek;Öte yandan yüksek akım altında ısı yayılımı da büyük bir sorun haline gelecektir.Aynı zamanda ön elektrot yukarıda olduğundan ışığın bir kısmı engellenecek ve ışık verimliliği düşecektir.Yüksek güçlü mavi LED, chip flip chip teknolojisi sayesinde geleneksel paketleme teknolojisine göre daha etkili ışık çıkışı elde edebilir.

Şu anda, ana akım flip çip yapısı yöntemi şu şekildedir: ilk olarak, ötektik kaynak elektrotlu büyük boyutlu bir mavi LED çipi hazırlayın, mavi LED çipinden biraz daha büyük bir silikon alt tabaka hazırlayın ve altın iletken bir katman yapın ve tel katmanını dışarı çıkarın ( Üzerinde ötektik kaynak yapmak için ultrasonik altın tel bilyalı lehim bağlantısı).Daha sonra yüksek güçlü mavi LED çipi ve silikon alt tabaka ötektik kaynak ekipmanıyla birbirine kaynaklanıyor.

Bu yapının özelliği, epitaksiyel katmanın silikon substrat ile doğrudan temas halinde olması ve silikon substratın termal direncinin safir substratınkinden çok daha düşük olmasıdır, bu nedenle ısı dağılımı sorunu iyi çözülmüştür.Safir alt tabaka, çevirerek monte edildikten sonra yukarıya baktığından, ışık yayan bir yüzey haline gelir ve safir şeffaftır, böylece ışık yayma sorunu da çözülür.Yukarıdakiler LED teknolojisiyle ilgili bilgilerdir.Bilim ve teknolojinin gelişmesiyle birlikte gelecekteki LED lambaların daha verimli olacağına ve kullanım ömrünün büyük ölçüde artacağına ve bunun bize daha fazla kolaylık sağlayacağına inanıyorum.