LED çalışırken aşağıdaki koşullar bağlantı sıcaklığının değişen derecelerde artmasına neden olabilir.

1、 Işık verimliliğinin sınırlandırılmasının, yükselişin ana nedeni olduğu kanıtlanmıştır.LED bağlantısısıcaklık.Şu anda, gelişmiş malzeme geliştirme ve bileşen üretim süreçleri, girdi elektrik enerjisinin çoğunu dönüştürebilmektedir.Işığa LEDradyasyon enerjisi.Bununla birlikte, LED çip malzemeleri çevredeki ortama göre çok daha büyük kırılma katsayılarına sahip olduğundan, çip içinde üretilen fotonların büyük bir kısmı (>%90) arayüzden düzgün bir şekilde taşamaz ve çip ile medya arayüzü arasında toplam yansıma oluşturulur. çipin içine geri döner ve sonunda çoklu iç yansımalar yoluyla çip malzemesi veya alt tabaka tarafından emilir ve kafes titreşimi şeklinde ısınarak bağlantı noktası sıcaklığının yükselmesine neden olur.

2、 PN eklemi son derece mükemmel olamayacağından elemanın enjeksiyon verimliliği %100'e ulaşamayacak yani P alanındaki N alanına enjekte edilen yüke (deliğe) ek olarak N alanına da enjekte edilecektir. LED çalışırken P alanına şarj (elektron).Genel olarak, ikinci tip yük enjeksiyonu optoelektrik etki üretmeyecek, ancak ısıtma şeklinde tüketilecektir.Enjekte edilen yükün faydalı kısmının tamamı hafif hale gelmese bile, bir kısmı, bağlantı alanındaki yabancı maddeler veya kusurlarla birleştiğinde sonunda ısıya dönüşecektir.

3、 Elemanın kötü elektrot yapısı, pencere katmanı alt tabakasının veya bağlantı alanının malzemeleri ve iletken gümüş tutkalın tümü belirli direnç değerlerine sahiptir.Bu dirençler seri direnci oluşturmak için birbirine karşı istiflenir.LED elemanı.Akım PN bağlantısından aktığında, bu dirençlerden de akacak ve Joule ısısı ortaya çıkacak, bu da çip sıcaklığının veya bağlantı noktası sıcaklığının yükselmesine yol açacaktır.